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摘要
设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片,采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层,多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上,通过结构和位置的优化设计,干法腐蚀制作形成力敏电阻条。制作了压力量程从60 kPa到1 MPa的传感器芯片。试验测试了量程60 kPa压力传感器的长期稳定性,结果表明在室温环境下时,压力传感器显示了较稳定的长时输出,且用LPCVD低温二氧化硅密封的真空参考压力腔没有泄漏问题出现。该超小型传感器制造成本低,具有广泛应用的前景。
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单位江苏大学; 传感技术国家重点实验室; 中科院上海微系统与信息技术研究所
