基于通孔双面分步填充的TSV制备方法

作者：田苗; 栾振兴; 陈舒静; 刘民; 王凤丹; 程秀兰

来源：半导体技术, 2022, 47(08): 636-641.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.08.008

• 硅通孔(TSV)
• 通孔双面分步填充
• 电镀
• 缺陷
• 电阻率

以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术，但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺，先将通孔的一端电镀封口，然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺，降低了加工难度。通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题，得到了无孔隙的填充孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10∶1的TSV阵列。通过电学实验测量了所得TSV的电阻。实验结果证明了其填充效果和导电能力，为实现超小型化封装提供了新的技术思路。

• 单位
  上海交通大学