摘要
采用第一性原理计算了La、Ce、Nd、Sm对TiAl/Ti3Al界面形成能、断裂功、弹性性质和电荷布居数的影响。计算结果显示:La、Ce、Nd、Sm占据TiAl/Ti3Al晶界处的形成能比在基体内的要低,更倾向于在晶界处偏聚。Nd掺杂TiAl/Ti3Al断裂功大于纯净界面的,不利于改善界面延性,通过计算弹性模量G/B也得到同样的结论。Mulliken布居和重叠布局显示,Nd掺杂后的共价键强度增强,不利于界面延性改善,而La、Ce、Sm掺杂共价键强度减小,有利于改善界面延性。
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单位齐鲁理工学院