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摘要
通过物理气相沉积（PVD）方法制备了二维二硒化钨（WSe2）材料,并与利用化学气相沉积（CVD）方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe2材料组成的pn结器件.测试结果表明,该器件在黑暗条件下具有单向整流性和对光照极灵敏的响应度,证明了其在光电器件应用领域具有广泛的发展前景.
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单位北京纳米能源与系统研究所; 中国科学院; 中国科学院大学
