4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析

作者：曾亮; 王翠霞; 吴江枫; 余有灵; 李诚瞻; 杜星

来源：机车电传动, 2020, (01): 45-48.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.009

• 4H-SiC MOSFET
• 碳化硅
• 静态特性
• 温度特性
• 器件仿真

SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4 450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。

• 单位
  同济大学