巨量转移-激光转移及激光对AlGaInP芯片影响的研究

作者：詹蕊绮; 李宏韬; 张玮; 萧俊龙^*

来源：微纳电子与智能制造, 2021, 3(04): 15-23.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/TN.2021.04.015

• Micro-LED
• 激光转移
• 紫外激光
• 失效分析
• 漏电

Micro-LED因其具有高功效、高亮度、低能耗、高分辨率以及高对比度等优点，被认为是下一代的显示技术。Micro-LED显示器的制作也面临着巨量转移的挑战。本文介绍了巨量转移中的激光转移技术、激光转移技术的具体路线、激光转移工艺参数对转移结果的影响以及激光转移中紫外激光作用对芯片的影响，并针对激光转移中发生的红光AlGaInP芯片漏电情况进行了失效分析。在能量密度为700 mJ/cm2的激光作用下，红光AlGaInP芯片的表面出现了明显的激光烧蚀痕迹，并在电性测试中检测出较大的漏电流。漏电芯片的光电性质相较于正常芯片发生了改变，漏电芯片的光输出功率下降了29.27%，亮度下降28.41%，外量子效率降低29.71%。