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摘要
针对W波段硅基工艺电路面临的功率增益低、效率低以及噪声差等挑战，本文研究硅基毫米波高增益低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)技术。该LNA采用带有射极电感反馈的共射放大器，并通过五级共射放大器级联构成。第一级电路通过提供最小噪声偏置电流，并利用最小噪声匹配实现低噪声性能，后级电路通过提供高增益偏置电流实现高增益性能。另外，为了减小射频信号到衬底的损耗以及信号与旁路元件的耦合，有效提高低噪声放大器的性能，用于匹配电路的电感全部采用传输线形式—接地共面波导。低噪声放大器在中心频率94 GHz处的增益S21达到25.2 dB,噪声系数NF小至5.1 dB。在90～100 GHz频段内，输入反射系数S11小于-10 dB,输出反射系数S22稳定在-20 dB左右，芯片面积为500μm×960μm。
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