基于光刻模型的动态自适应切分OPC

作者：杨祎巍; 史峥; 严晓浪; 陈晔

来源：半导体学报, 2008, 29(7): 1422-1427.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.040

• 光学邻近校正
• 可制造型设计
• 动态切分
• 光刻模型

光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%～15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了 OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%.

• 单位
  浙江大学