摘要

采用高功率脉冲磁控溅射技术(High Power Pulsed Magnetron Sputtering, HPPMS),通过改变TiNb靶材的峰值溅射功率在Si(100)和316L基体上沉积TiNb薄膜,利用等离子发射光谱(Optical Emission Spectroscopy, OES)研究峰值功率对基片前离子原子比的影响,采用X射线衍射技术 (X-Ray Diffraction, XRD)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、透射电镜(Transmission Electron Microscope, TEM)、纳米硬度计、球盘往复摩擦机以及电化学工作站等试验设备,研究Ti、Nb离子原子比对TiNb薄膜微观结构、力学性能及耐腐蚀性能的影响。结果表明:Ti和Nb离子原子比率随峰值功率增加而增加,在峰值功率为59.42 kW时Ti的离子原子比达到60%,Nb的离子原子比达到56.9%,离化原子比相对于峰值功率35.98 kW时增加1倍。不同峰值功率下制备的薄膜均出现BCC结构的 β-TiNb (110),β-TiNb (200) 和 β-TiNb (211) 衍射峰,薄膜以纳米晶存在,高的Ti、Nb离子原子比可以增加晶粒尺寸,降低TiNb薄膜残余压应力,引起薄膜的硬度、耐磨性以及耐腐蚀性能下降。

  • 单位
    荆楚理工学院; 西南交通大学; 成都师范学院; 材料科学与工程学院