平面型2.6μm InGaAs红外探测器变温特性研究

作者：李永富; 唐恒敬; 张可峰; 李淘; 宁锦华; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2009, (06): 612-617.

• InGaAs红外探测器
• 产生-复合电流
• 隧穿电流
• 暗电流
• 优值因子
• 峰值探测率 InGaAs IR detector
• generation-recombination-current
• tunneling-current
• dark-current
• zero-bias-resistance-area productpeak
• detectivity

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着...

• 单位
  中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所