In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

作者：周龙; 李涵; 苏贤礼; 唐新峰

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (10): 7219-7224.

• InSb
• CoSb3
• 热电性能 InSb
• thermoelectric properties

用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的InxCo4Sb12(x=0.1—0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米InSb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21。

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室