本发明公开了一种基于温度迭代校正等离子体自吸收效应的方法,首先通过谱线积分强度测量等离子体电子温度,设定等离子体初始辐射粒子数密度及吸收路径长度参数后,使用等离子体电子温度计算出自吸收系数,并对谱线积分强度进行校正,再由新的谱线积分强度得到新的等离子体电子温度,计算出新的自吸收系数对谱线积分强度进一步校正,进而迭代温度对自吸收效应进行校正,解决LIBS技术中谱线自吸收效应影响定量分析准确度的技术问题。