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摘要
本发明一种在镍基上制备石墨烯薄膜并转移到其它基底的方法包括步骤为：Z1：对镍箔进行表面处理；Z2：将处理后的镍箔放入真空加热炉中心,加热到设定温度,通入相应气体；Z3：控制降温速率使碳原子从镍中析出形成石墨烯薄膜；Z4：对镍表面石墨烯薄膜处理并将基底刻蚀,洗去刻蚀液,将石墨烯转移到需要的基底上。本发明石墨烯薄膜生长及转移方法通过金属基底催化,对镍表面进行处理,调节生长时间、浓度、温度、冷却速率等参数实现制备大面积、高质量的石墨烯薄膜,并在转移时利用配置的溶液和装置对其进行清洗,可将杂质离子洗去,减少了金属离子对石墨烯薄膜的污染,转移时石墨烯薄膜质量提高。
- 单位
