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摘要
本发明涉及一种基于HEMT器件的开关结构,包括衬底层、缓冲层、势垒层、漏电极、源电极、栅电极以及悬臂电极,其中,所述衬底层、所述缓冲层和所述势垒层自下而上依次设置；所述漏电极和所述源电极均设置在所述缓冲层上,所述势垒层设置在所述缓冲层上未被所述漏电极和所述源电极覆盖的区域；所述栅电极设置在所述势垒层上且位于所述漏电极与所述源电极之间；所述悬臂电极的固定端设置在所述势垒层上,悬臂端位于所述漏电极和源电极上方,并且能够与所述漏电极或源电极接触。该基于HEMT器件的开关结构能够满足在高频、高压、高温等领域的应用,且开关反应极快,在没有导通的情况下不存在电流泄漏,极大地减小了功率损耗。
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