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摘要
本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件,包括：N+衬底区、N-外延区、P-阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极、源极和漏极,其中,第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致,第一P+注入区内设置有第一沟槽,第二P+注入区内设置有第二沟槽,栅极的深度大于P-阱区的深度,小于第一P+注入区的深度,源极与P-阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区的界面为欧姆接触,源极与N-外延区的界面为肖特基接触。本发明的器件,在器件内集成的肖特基二极管结构中,引入沟槽结构,使得第一P+注入区和第二P+注入区的深度增加,在经过刻蚀形成的较薄的N-外延区表面进行P+注入,使得P+注入区的深度更大,提升了器件的抗雪崩能力。
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