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摘要
通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。
- 单位
通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。
