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摘要
文章以硒硫化钼/碲硒化钨异质双层结构为研究对象，采用基于密度泛函理论（density functional theory, DFT）的第一性原理计算方法，研究界面堆叠形式对体系电子结构的影响。结果表明：4种不同堆叠构型均表现出Ⅱ型能带对齐关系，但具有不同的层间带隙；计算能量最稳定的Te-Se构型的振动结构，发现平面和垂直声子模式的振动分布均表现出高度的空间局域特性；进一步研究频率为425、339、225、204 cm-1的声子模式对Te-Se构型电子结构的影响，表明激发垂直声子振动能引起界面距离、层内带隙及跃迁偶极矩的显著变化，而且该变化与电子态和声子振动的空间局域性密切相关。研究结果深化了声子振动对过渡金属硫族化合物异质层电子结构影响的认识，为利用声子调控光催化性能提供了理论支撑。
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