摘要
为了避免在进行4/10μs大电流冲击或2 ms方波耐受试验时,ZnO压敏电阻样品侧面发生闪络,根据高梯度、低残压直流ZnO压敏电阻的配方、制备工艺等,研发出C系统配方(46%ZnO-16%Bi2O3-25%SiO2-7%Sb2O3-3.5%Fe2O3-2.5%B2O3)的无机高阻层。将C系统配方所制备的无机高阻层浆料涂抹在排胶后的ZnO压敏电阻坯体侧面,经高温烧结后,无机高阻层不仅能够与ZnO压敏电阻本体紧密结合,还具有较高的绝缘特性和机械强度。无机高阻层性能的提高不仅能显著降低ZnO压敏电阻在试验时发生闪络、裂纹等故障的概率,还有助于提高ZnO压敏电阻对能量的吸收能力,满足高梯度、低残压直流ZnO压敏电阻对能量吸收能力的需求。
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单位电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室; 新疆大学