我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

来源：河南科技, 2018, (13): 5.

<正>以碳化硅(Si C)为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。Si C器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求,被誉为带动"新能源革命"的"绿色能源"器件。但长期以来,我国Si C器件的研制生产主要依赖进口。Si C器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自