分层溅射法制备晶向可控的Mg2Si薄膜

作者：廖杨芳; 谢泉^*

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(01): 38-43.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.01.009

• Mg2Si
• 薄膜
• 分层溅射
• 晶向可控
• 石英衬底

采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜。当Si膜的溅射时间均为25 min、Mg膜的溅射时间为18～22 min、退火温度为375℃时，随着膜厚增加，Mg2Si薄膜的织构由(311)向(220)转变；退火温度为400℃时，薄膜的最强衍射峰均为Mg2Si(220)。所有样品均在256 cm-1附近出现了较强的拉曼散射特征峰，在347 cm-1附近出现了较弱的拉曼散射特征峰，这两个峰分别属于Mg2Si的F2g和F1u(LO)声子模。在石英衬底上，改变溅射条件和退火温度，可实现Mg2Si薄膜的晶向可控制备。

• 单位
  贵州大学; 贵州师范大学