绝缘层等离子处理对有机薄膜晶体管突触性能的影响

作者：饶智超; 汪秀梅; 刘亚倩; 李恩龙; 俞礽坚; 陈惠鹏; 张国成^*

来源：液晶与显示, 2021, 36(08): 1093-1100.

• 有机薄膜晶体管
• 人工突触
• 表面修饰
• 等离子处理

在冯·诺依曼架构陷入瓶颈的时代背景下,受生物神经启发而演化的人工突触器件获得了广泛关注,加速了人们迈向人工智能时代的脚步。本文通过在P型有机薄膜晶体管(OTFT)绝缘层SiO2表面进行等离子处理,探究了界面处理引入羟基对OTFT突触性能的影响。具体对绝缘层不同等离子处理时长的OTFT进行了突触行为的模拟和对比,包括兴奋性后突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、长程可塑性(LTP)等。突触特性的产生是由于等离子处理给半导体层/绝缘层界面引入的羟基对电子进行了捕获。而随着等离子处理时间的增加,绝缘层表面更多的羟基使得OTFT表现出更强的记忆和保持能力、更高的线性度,更有利于其在类脑学习、神经计算等方面的应用。

• 单位
  福建工程学院; 福州大学