IGS电离层图内插区域电离层电子含量精度分析

作者：崔书珍; 周金国; 葛山运; 邓军

来源：全球定位系统, 2016, 41(03): 57-62.

DOI：10.13442/j.gnss.1008-9268.2016.03.012

• 克里金法插值
• 电离层图
• 电离层垂直总电子含量

本文以重庆CORS网2007年第247天5个基准站观测数据为例,首先采用平滑伪距观测值解算各个基准站上空的VTEC值,然后将其中的4个测站穿刺点处的VTEC值采用克里金插值法内插YUBE站上空的穿刺点处的VTEC,发现克里金插值法内插的电离层穿刺点的VTEC值精度是可靠的,且比高精度的广义三角级数函数模型计算精度更高。再利用IGS电离层图,采用电离层穿刺点周围4个电离层图点和包含电离层穿刺点的所有格网点内插BANA站整点时刻的电离层VTEC值,经比较发现两者的内插精度基本一致。最后,利用包含电离层穿刺点的所有IGS电离层图点内插重庆CORS网5个基准站上空的整点时刻电离层VTEC值,经分析发现由IGS电离层图内插的5个基准站上空的VTEC值均比采用平滑伪距观测值解算的VTEC值偏大,约3.454TECU,且插值结果精度低于广义三角级数函数模型计算精度。

• 单位
  国家测绘局重庆测绘院; 重庆工程职业技术学院