垂直结构Ga₂O₃金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法

作者：周弘; 燕庆龙; 张进成; 张春福; 许晟瑞; 郝跃

来源：2020-07-16, 中国, ZL202010683643.6.

本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法,主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻,刻蚀去除部分SiO2,形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域,蒸发源漏电极金属并退火,形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属,完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离,提高了击穿电压和电流,可用于制作氧化镓大功率器件。

• 单位
  西安电子科技大学