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摘要
钙钛矿结构一直是光伏材料研究的热点，采用密度泛函理论计算了阴离子缺陷的第IVB族基双钙钛矿的几何结构、电子结构和光学性质。发现在一定的阴离子缺陷密度下，本来是半导体的Cs2BI6价带底下穿费米面转变为导体，面心正八面体结构沿111方向出现畸变，键角由60°减小为57.8°、57°、57.1°(Ti、Zr、Hf)，光吸收谱向高能端集中，说明在Cs2BI6中引入阴离子缺陷能够有效增强材料的导电率，并调节材料的颜色。并且通过电子态密度的计算分析了这种情况产生的原因。
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单位中国刑事警察学院
