一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

作者：周淼; 汤亮; 何逸涛; 陈辰; 周锌^*

来源：电子与封装, 2022, 22(09): 78-83.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0915

• 介质场增强理论
• 横向绝缘栅双极型晶体管
• 线性变掺杂技术
• 超结
• 击穿电压
• 比导通电阻

基于介质场增强(ENDIF)理论，提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响，并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术，使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明，该器件的耐压达到816 V，比导通电阻仅为12.5Ω·mm2。

• 单位
  电子科技大学; 中国电子科技集团公司第五十八研究所; 电子科技大学广东电子信息工程研究院