磁控共溅射法制备的Zn_2GeO_4多晶薄膜结构及其光致发光研究

作者：王振宁; 江美福; 宁兆元; 朱丽

来源：Acta Physica Sinica, 2008, (10): 6507-6512.

• 射频磁控溅射
• Zn2GeO4
• 荧光体 radio-fequency magnetron sputtering
• Zn_2GeO_4
• phosphor

用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500—600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致...

• 单位
  苏州大学