40mΩ 1200V碳化硅场效应器件的设计

作者：刘旭; 杨承晋; 兰华兵; 刘涛

来源：集成电路应用, 2023, 40(12): 38-40.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.12.014

• 碳化硅
• 场效应管
• 功率器件

阐述一款40mΩ1 200V碳化硅场效应管的设计，可用于电源PFC应用，采用沟道自对准工艺，经过JFET注入、元胞、终端、面积等优化，最终碳化硅场效应管反向耐压大于1 500V，漏电流小于100μA，同时碳化硅场效应管导通电流大于66A，阈值电压>2.3V，最高工作结温高于150℃。

• 单位
  深圳市森国科科技股份有限公司