一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计

作者：金永亮; 张希婷; 徐新涛; 程心; 解光军; 张章^*

来源：合肥工业大学学报(自然科学版), 2020, 43(09): 1213-1217.

• 低压差稳压器(LDO)
• 瞬态响应
• 瞬态补偿
• 线性调整率
• 负载调整率

文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能。仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.047 5 mV/V、0.002 14 V/A;当电源电压范围为1.91～3.60 V时,输出电压稳定在1.80 V。

• 单位
  合肥工业大学