超高场强磁共振深部脑刺激电极周围组织的病理改变

作者：石林; 杨岸超; 王秀; 刘焕光; 张鑫; 张建国

来源：中华神经外科杂志, 2014, 30(08): 831-835.

DOI：10.3760/cma.j.issn.1001-2346.2014.08.021

• 脑深部电刺激
• 磁共振成像
• 活体研究
• 病理改变
• 热损伤

目的通过对比超高场强MRI(7.0 T和3.0 T)与高场强MRI(1.5 T)下深部脑刺激(DBS)电极周围组织的病理学变化,深入探讨射频磁场中DBS电极热效应对周围组织的影响。方法雄性新西兰白兔18只,随机分入7.0 T组(n=6),3.0 T组(n=6)及高场强1.5 T组(n=6)。各组动物以左侧丘脑腹后核为靶点,植入全套DBS电极和刺激器。术后进行对应场强核磁共振扫描,24 h后对针道周围脑组织进行HE染色及电镜检查,并对组织损伤进行评估。所有统计结果采用均数±标准差表示,使用SPSS 19.0医学统计程序进行单向方差分析,P<0.05为差异有统计学。结果 HE染色及电镜检查显示在距针道相等距离位置,7.O T组及3.0 T组的细胞损伤程度与高场强1.5 T组相比,差异无统计学意义(P>0.05)。结论超高场强磁共振(3.0 T及7.0 T)并未造成DBS电极周围出现明显热损伤,提示体内植入DBS设备的患者进行超高场强磁共振扫描可能是安全的。

• 单位
  首都医科大学附属北京天坛医院; 北京市神经外科研究所