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摘要
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,制备出一系列Mg2Si薄膜样品.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2Si薄膜的影响.结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg薄膜,通过原位退火方式成功制备出单一相的Mg2Si薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg的时间为12.5/9/12.5/9min,退火温度为550℃时,制备的Mg2Si薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.
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