CaCu3Ti4O12表面修饰对低填充浓度的PVDF基复合材料介电与漏电特性的影响

作者：高亮; 张佳琦; 孔德波; 商行; 文大禹

来源：绥化学院学报, 2021, 41(11): 144-147.

• PVDF
• 复合材料
• CaCu3Ti4O12
• 介电特性
• 漏电流密度

通过溶胶凝胶-燃烧法制备微米钛酸铜钙(CCTO)颗粒,并对其表面化学镀镍修饰合成CCTO@Ni复合颗粒,分别以此为填充相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为基体材料,结合溶液涂覆法与淬火工艺,制备低填充浓度的PVDF/CCTO和PVDF/CCTO@Ni复合材料。利用X射线衍射仪分析PVDF复合材料的物相组成,用宽频阻抗分析仪和静电计-高压放大电源系统测试其介电特性和漏电流特性,研究低填充浓度下,表面镀镍修饰前后的CCTO和CCTO@Ni填充相及其填充浓度对PVDF基复合材料物相组成、介电特性与漏电流密度的影响。结果表明:PVDF基复合材料体系由无机钙钛矿陶瓷相和PVDF相混合而成。3%低体积分数CCTO提高PVDF复合材料介电常数15.53,比纯PVDF材料提高30.84%。CCTO颗粒表面镀镍修饰有利于低填充量下PVDF基复合材料介电损耗和漏电流密度的降低,源于纳米镍颗粒的库伦阻碍效应。尤其是,0.5%低体积分数的CCTO@Ni填充的PVDF/CCTO@Ni复合材料具有比纯PVDF材料低的介电损耗0.025和比纯PVDF材料低8.7%的漏电流密度1.0510-7A/cm2。

• 单位
  绥化学院