Ge/Pb/Si(111)生长中Ge原子沿团簇边缘扩散的三维Monte-Carlo模拟

作者：吴黎黎; 吴锋民

来源：计算物理, 2013, (03): 441-446.

DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.2013.03.016

• 沿团簇边缘扩散
• 表面活性剂
• 表面粗糙度
• Monte-Carlo模拟 edge-diffusion around clusters
• surfactant
• surface roughness
• Monte-Carlo simulation

用动态Monte-Carlo方法对Ge在单层表面活性剂Pb覆盖的Si(111)表面上沿团簇边缘扩散进行三维模拟.重点讨论Ge原子是否沿团簇边缘扩散,沿边缘扩散时的最大扩散步数及最近邻原子数对三维生长的影响,并计算薄膜表面粗糙度研究三维生长模式.模拟表明Ge沿团簇边缘扩散的行为对薄膜生长模式的影响很大,同时讨论了ES势对三维生长模式的影响.

• 单位
  浙江师范大学