科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用分子束外延技术（MBE）制备了碲化镉（CdTe）原位钝化的中波碲镉汞（HgCdTe）材料。原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明，分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch，表面粗糙度为1～2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示，77 K时，与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比，CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件，和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。
- 单位
