一种高精度低温漂带隙基准源设计

作者：李帅人; 周晓明; 吴家国

来源：电子科技, 2012, 25(9): 88-90,114.

DOI：10.3969/j.issn.1007-7820.2012.09.027

• 带隙基准
• 温度系数
• 电源电压抑制比
• 高阶补偿

基于TSMC40nmCMOS工艺设计了一种高精度带隙基准电路。采用Spectre工具仿真，结果表明，带隙基准输出电压在温度为-40—125℃的范围内具有10×10^-6／℃的温度系数，在电源电压在1．5-5．5V变化时，基准输出电压随电源电压变化仅为0．42mV，变化率为0．23mv／V，采用共源共栅电流镜后，带隙基准在低频下的电源电压抑制比为-72dB。

• 单位
  华南理工大学