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摘要
基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃～135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
