Y_2O_3掺杂对Ta_2O_5-TiO_2电容-压敏陶瓷的影响

作者：王天国; 邵刚勤; 李喜宝; 张文俊

来源：武汉理工大学学报, 2009, (13): 4-7+15.

• 二氧化钛
• 电容-压敏电阻
• 压敏电压
• 非线性系数 TiO2
• capacitor-varistors
• breakdown voltage
• nonlinear coefficient

制备了Y2O3-Ta2O5-TiO2电容-压敏电阻器材料,对样品进行了XRD和SEM分析,测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:Y2O3对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响,在1 400℃烧结条件下,摩尔掺量为0.25%Y2O3的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为9.7 V/mm,非线性系数为4.5,相对介电常数为8.82×104,这与该样品具有最高的晶界势垒高度相一致。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学