GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计

作者：付强; 张帅; 李文昌; 钟玲; 石广源

来源：辽宁大学学报(自然科学版), 2008, (01): 24-27.

• ESD
• GCNMOS
• 电源和地
• 栅极耦合 ESD
• GCNMOS
• VDD-to-VSS
• gate-coupled.

分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV.

• 单位
  中国人民解放军陆军炮兵防空兵学院; 电子科技大学; 辽宁大学