使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究

作者：徐瑞霞; 陈子楷; 赵铭杰; 宁洪龙; 邹建华; 陶洪; 王磊; 徐苗; 彭俊彪

来源：发光学报, 2015, 36(08): 935-940.

• 薄膜晶体管
• 氧化铟锌
• 铜布线

为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明:所制备的Cu膜呈多晶结构;引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性;同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。

• 单位
  华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司