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摘要
为进一步提高GaN基LED的光效，本文以改进电极结构为研究点，设计并制备了具有插指型电极形状，并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构。该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触，以提高器件的电流扩展以及发光效率。为了得到更为优化的电流阻挡层(CBL)结构及电极孔的尺寸与间距，本文设计了七种不同的器件，并对其进行了光电性能测试，测试结果表明，在150mA工作电流下，不连续CBL结构不能够有效改善LED的发光性能，P电极孔尺寸对于器件的性能影响不大，P电极孔间距由20μm增大为30μm时EQE和WPE分别提升约5.0%和3.8%,N电极孔尺寸由17μm×5μm减小为10μm×5μm时外量子效率(EQE)和光电转换效率(WPE)分别提升约6.5%和3.0%，而N电极孔间距为由45μm减少为40μm时并未有效改善器件的发光性能。本文数据表明，在进一步改善LED的电极结构时，宜采用连续CBL结构，且改变P电极孔间距和N电极孔尺寸对于提升LED的光电性能较为有效，而改变P电极孔尺寸和N电极孔间距对器件光电性能影响较小。
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