高密度等离子体钝化层中电弧放电问题的改善

作者：田守卫; 孙洪福; 胡海天

来源：集成电路应用, 2020, 37(06): 19-21.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2020.06.007

• 集成电路制造
• 晶圆
• 高密度等离子体
• 电弧放电
• 钝化层
• 溅射率

分析表明,晶圆的电弧放电现象在高密度等离子体钝化层制程中时常发生,随着半导体关键尺寸的减小,电弧放电的概率明显增加,尤其表现在 0.13 μm及以下晶圆制造过程中。而晶圆一旦发生电弧放电,会严重影响晶圆的良率及可靠性,所以控制及降低电弧放电的概率可以减少产品的报废。根据电弧放电发生的机理,分析了在高密度等离子体钝化层制程中容易导致电弧放电的因素,从而通过增加衬底层 SiO2 的厚度,调整沉积钝化层的溅射率,优化整个沉积过程中的沉积溅射比率,可有效降低晶圆电弧放电发生的概率,对 0.13 μm及以下晶圆的改善尤为显著。