本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺，采用分布式结构设计了一款工作在2～20 GHz的宽带低噪声放大器。在Cascode结构的基础上引入负阻抗网络和峰化电感来提升电路的整体带宽及高频增益，通过对负阻抗网络及峰值电感的电路分析，仿真设计了一款五级加三级Cascade放大器。仿真结果表明，该放大器在2～20 GHz范围内S11和S22均小于-10 dB，增益为(27.273±0.375) dB，噪声系数2.694～4.113 dB，具有较高的增益和较好的增益平坦度。
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