CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

作者：查钢强; 介万奇; 李强; 刘永勤

来源：功能材料, 2006, (01): 120-122.

• CdZnTe
• 机械抛光
• X射线摇摆曲线
• 表面损伤层 CdZnTe
• mechanical polishing
• X-ray rocking curve
• surface damage layer

研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室