采用黄光湿法蚀刻工艺，调整过氧化氢和乙酸的比例，研究了不同蚀刻液配方对镀铜银纳米线导电薄膜的蚀刻效果及蚀刻时间对图案化镀铜银纳米线导电薄膜沟道的影响。结果表明，最佳蚀刻配方为去离子水90 g、过氧化氢2 g、乙酸7 g，最佳蚀刻时间为150 s。采用此蚀刻液配方蚀刻镀铜银纳米线导电薄膜，蚀刻前后光电性能无变化。
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