科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种基于二硫化钼/锗异质结的PIN型光电探测器及其制备方法,该探测器包括依次设置的Si衬底、SiO-2氧化层和P-Ge层,其中,SiO-2氧化层上表面还设置有P+Ge层,P+Ge层设置在P-Ge层的侧面；P-Ge层上表面中间部分覆盖有本征Ge层,P+Ge层上表面均设置有阳极,本征Ge层上表面覆盖有MoS-2薄膜层；MoS-2薄膜层上表面设置有阴极,P+Ge层与阳极形成欧姆接触,MoS-2薄膜层与阴极形成欧姆接触,MoS-2薄膜层与本征Ge层形成异质结结构。通过控制PIN结构中本征Ge层的厚度可极大提高器件的频率响应和频率响应速度,能够实现器件的宽光谱、高灵敏和高响应速度。
- 单位
