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摘要
<正>石墨烯具有优异的电学、光学、热学和力学等性质,在学术界和工业界都受到极大的关注和重视。众所周知,制备决定材料的未来。化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition,CVD)是目前制备大面积、高质量石墨烯薄膜的最佳选择1,2。近年来,针对石墨烯薄膜缺陷浓度、畴区尺寸、堆垛方式、层数、掺杂浓度等的精确控制均取得了一系列进展3–5。然而,CVD制备石墨烯过程中的污染问
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<正>石墨烯具有优异的电学、光学、热学和力学等性质,在学术界和工业界都受到极大的关注和重视。众所周知,制备决定材料的未来。化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition,CVD)是目前制备大面积、高质量石墨烯薄膜的最佳选择1,2。近年来,针对石墨烯薄膜缺陷浓度、畴区尺寸、堆垛方式、层数、掺杂浓度等的精确控制均取得了一系列进展3–5。然而,CVD制备石墨烯过程中的污染问
