栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究

作者：蒋丽华^*; 罗霞; 廖勇; 罗海军; 龙兴明

来源：微电子学, 2020, 50(05): 726-731.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200192

• GaN MOSFET
• 栅极电阻
• 瞬态电流

为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小。栅极电阻从10Ω变化到100Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7%,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06%。在栅极电阻为10～100Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度。

• 单位
  电子工程学院; 重庆城市管理职业学院; 重庆师范大学