低阴极沉积电位对铝合金表面硅烷膜层的影响

作者：徐以兵; 何德良; 周舟; 钟建芳; 许超; 崔正丹; 曾丽萍

来源：中国腐蚀与防护学报, 2009, (03): 220-224.

• 铝合金
• 硅烷膜
• 低电位
• 表面活性剂
• 双-1
• 2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物 aluminum
• silane film
• low cathodic potential
• surfactant
• bis-1
• 2-[triethoxysilylpropyl]tetrasulfide

在低阴极沉积电位条件下,使用表面活性剂改性硅烷溶液,实现了双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物(BTSPS)在铝合金电极表面的电化学沉积,新的临界沉积电位(NCCP)约为-1.6 V.研究表明,在低阴极沉积电位下铝合金表面能得到更厚、更致密的硅烷膜层,并且在改性后溶液中制备的膜层具有较高的极化阻力.表面活性剂的加入可以降低沉积时析氢的影响,提高硅烷沉积性能.临界沉积电位的降低,使得硅烷覆盖的铝合金电极比临界沉积电位(-0.8 V)下的电极具有更好的抗腐蚀性能.

• 单位
  化学生物传感与计量学国家重点实验室; 湖南大学