MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

作者：廉鹏; 邹德恕; 高国; 殷涛; 陈昌华; 徐遵图; 沈光地; 马晓宇; 陈良惠

来源：光电子-激光, 2004, 11(1).

DOI：10.3321/j.issn:1005-0086.2000.01.002

• C掺杂
• 金属有机化合物汽相外延
• 大功率
• 半导体激光器

利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析.在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器.

• 单位
  中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 北京工业大学