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摘要
在当今的DRAM存储器技术中,ZQ管脚的作用是为了能够给高速的接口电路提供更为准确的阻抗。本文引入了一种DDR3的ZQ校准方法,该电路在38 nm的DRAM工艺中已经得到实现。它包括了比较器校准,ZQ状态监测,长、短校准模式和调试模式。该电路可以支持多颗芯片封装形式下的共享ZQ端口的工作条件。文中介绍了一种能提高校准速度的SAR搜索方法,测试结果表明该电路在工艺偏差巨大的DRAM生产工艺下仍旧满足J EDEC的各项指标要求,并具有非常出色的鲁棒性。
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在当今的DRAM存储器技术中,ZQ管脚的作用是为了能够给高速的接口电路提供更为准确的阻抗。本文引入了一种DDR3的ZQ校准方法,该电路在38 nm的DRAM工艺中已经得到实现。它包括了比较器校准,ZQ状态监测,长、短校准模式和调试模式。该电路可以支持多颗芯片封装形式下的共享ZQ端口的工作条件。文中介绍了一种能提高校准速度的SAR搜索方法,测试结果表明该电路在工艺偏差巨大的DRAM生产工艺下仍旧满足J EDEC的各项指标要求,并具有非常出色的鲁棒性。
