超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

作者：郭道友; 李培刚; 陈政委; 吴真平; 唐为华^*

来源：Acta Physica Sinica, 2019, 68(07): 7-42.

• Ga2O3
• 超宽带隙半导体
• 日盲探测器
• 深紫外透明电极

β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga2O3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga2O3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×103A/W,响应时间为20μs.

• 单位
  北京邮电大学; 浙江理工大学; 信息光子学与光通信国家重点实验室